Таким образом, при взаимодействии жидкой окиси алюминия с графитом процесс идет с образованием окси карбида и карбида алюминия. Лимитирующей стадией процесса при температурах до 2000 К является диффузия углерода через образующийся слой карбида, при более высоких температурах — диссоциация карбида алюминия. Если в результате взаимодействия создаются условия, исключающие образования сплошного покрытия, то процесс определяется испарением окиси алюминия. Алюминий взаимодействует с кислородом чрезвычайно медленно, что обусловлено защитными свойствами образующейся на поверхности металла твердой окисной пленки. Контролирующей стадией гетерогенной реакции окисления алюминия является транспорт реагентов в зону реакции. Подробный обзор работ по исследованию образования тонких пленок на алюминии составлен. В условиях низких температур и отсутствия влаги рост пленки на алюминии вначале идет быстро, а затем значительно замедляется. Критическая толщина пленки, при которой наблюдается резкое замедление скорости роста, составляет от 20 до 30 А. Присутствие паров воды способствует росту пленки окисла. Окисление в сухом кислороде идет но обратному логарифмическому закону, а во влажном — сначала по прямому, а через 10 ч — по обратному логарифмическому закону.